多晶硅工艺历程危险、有害因素浅析如有类似，纯属巧合今天我们来解读一篇2008年揭晓于新疆化工上的一篇文章。多晶硅是集成电路大厦的基石或者粮食。

说起硅谷大家都懂了。图0 多晶硅行业工艺主要涉及化学物质11种，见图1-图3。

工艺危险分析共8条，见图4-图5。图1 主要危险化学品图2 主要危险化学品续表图3 主要危险化学品续表图4 危险工序图5 危险工序 续表多晶硅生产历程中主要危险品有氢气，液氯，氯化氢，三氯氢硅等，生产历程中存在火灾，爆炸，中毒，窒息，触电伤害等诸多危险，有害因素。

工艺原理为电解水制得氯气，从而制得氯化氢，与硅粉生成氯硅烷，经由精馏提纯，加氢还原生成硅在硅芯上沉积，从而制得高纯度的多晶硅。图1，化学物质1，氢气为加氢工艺所需，易爆。

图1，化学物质3，氯气，特征为黄绿色。图2，化学物质4，氯化氢关联化学物质3。

图2，化学物质7，氟化氢，也是通过多种组合能够快速锁定事故企业的重要标志。图3，化学物质10，关联化学物质7.根据事故发生事故，如有爆炸，检查涉氢工艺；如果有泄漏事故，重点检查涉氯化氢工艺，同时需防止在非正常生产状态下，发生涉氢爆炸事故。再次声明，解读2008年正式揭晓的学术期刊，如有类似，纯属巧合。

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